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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 半导体低维结构的压力光谱研究
作者: 李国华;  陈晔;  方再利;  马宝珊;  苏付海;  丁琨
发表日期: 2005
摘要: 研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98 meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17 meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关.
刊名: 红外与毫米波学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李国华;陈晔;方再利;马宝珊;苏付海;丁琨.半导体低维结构的压力光谱研究,红外与毫米波学报,2005,24(3):174-178
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