SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
罗向东; 徐仲英; 谭平恒; GE Wei-Kun
2005
Source Publication红外与毫米波学报
Volume24Issue:3Pages:185-188
Abstract通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解Ⅲ-V-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.
metadata_83南通大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,江苏省自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1959714
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17103
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗向东,徐仲英,谭平恒,等. GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):185-188.
APA 罗向东,徐仲英,谭平恒,&GE Wei-Kun.(2005).GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性.红外与毫米波学报,24(3),185-188.
MLA 罗向东,et al."GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性".红外与毫米波学报 24.3(2005):185-188.
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