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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
作者: 罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
发表日期: 2005
摘要: 通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解Ⅲ-V-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.
刊名: 红外与毫米波学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
罗向东;徐仲英;谭平恒;GE Wei-Kun.GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性,红外与毫米波学报,2005,24(3):185-188
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