SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究
江德生; 刘建平; 杨辉
2005
Source Publication红外与毫米波学报
Volume24Issue:3Pages:193-197
Abstract对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长激光研究了AlInGaN外延薄层的拉曼散射,测量了合金铝组分改变引起的A1(LO)声子的频率移动,观测到了出射共振引起的LO声子拉曼散射谱的共振加强,此共振过程的机制是一种类级联的电子-多声子互作用机制.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金会的资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1959727
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17101
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
江德生,刘建平,杨辉. MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):193-197.
APA 江德生,刘建平,&杨辉.(2005).MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究.红外与毫米波学报,24(3),193-197.
MLA 江德生,et al."MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究".红外与毫米波学报 24.3(2005):193-197.
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