SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱
马宝珊; 王晓东; 骆军委; 苏付海; 方再利; 丁琨; 牛智川; 李国华
2005
Source Publication红外与毫米波学报
Volume24Issue:3Pages:207-212
Abstract在低温15K和0~9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院纳米科学与技术资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1959738
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17099
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马宝珊,王晓东,骆军委,等. 大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):207-212.
APA 马宝珊.,王晓东.,骆军委.,苏付海.,方再利.,...&李国华.(2005).大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱.红外与毫米波学报,24(3),207-212.
MLA 马宝珊,et al."大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱".红外与毫米波学报 24.3(2005):207-212.
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