SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响
吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 魏宏远; 康亭亭; 王晓晖; 刘祥林; 王占国
2005
Source Publication人工晶体学报
Volume34Issue:3Pages:466-470
Abstract本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1989021
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17091
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴洁君,韩修训,李杰民,等. 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报,2005,34(3):466-470.
APA 吴洁君.,韩修训.,李杰民.,黎大兵.,魏宏远.,...&王占国.(2005).缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响.人工晶体学报,34(3),466-470.
MLA 吴洁君,et al."缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响".人工晶体学报 34.3(2005):466-470.
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