SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究
姜凡; 刘忠立
2005
Source Publication微电子学
Volume35Issue:3Pages:297-300
Abstract对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对"First Cycle"效应进行了全面的研究.结果表明,"First Cycle"效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖.最后,给出了研究结果.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1991243
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17087
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姜凡,刘忠立. 部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究[J]. 微电子学,2005,35(3):297-300.
APA 姜凡,&刘忠立.(2005).部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究.微电子学,35(3),297-300.
MLA 姜凡,et al."部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究".微电子学 35.3(2005):297-300.
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