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GaN生长速率的研究 | |
金瑞琴![]() ![]() | |
2005 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 26Issue:4Pages:726-729 |
Abstract | 采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2004062 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17077 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 金瑞琴,赵德刚,刘建平,等. GaN生长速率的研究[J]. 半导体学报,2005,26(4):726-729. |
APA | 金瑞琴,赵德刚,刘建平,张纪才,&杨辉.(2005).GaN生长速率的研究.半导体学报,26(4),726-729. |
MLA | 金瑞琴,et al."GaN生长速率的研究".半导体学报 26.4(2005):726-729. |
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