GaN生长速率的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaN生长速率的研究
	金瑞琴; 赵德刚; 刘建平; 张纪才; 杨辉
	2005
Source Publication	半导体学报
Volume	26 Issue:4 Pages:726-729
Abstract	采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2004062
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17077
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	金瑞琴,赵德刚,刘建平,等. GaN生长速率的研究[J]. 半导体学报,2005,26(4):726-729.
APA	金瑞琴,赵德刚,刘建平,张纪才,&杨辉.(2005).GaN生长速率的研究.半导体学报,26(4),726-729.
MLA	金瑞琴,et al."GaN生长速率的研究".半导体学报 26.4(2005):726-729.

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