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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管
作者: 韦文生;  王天民;  张春熹;  李国华;  卢励吾
发表日期: 2005
摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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韦文生;王天民;张春熹;李国华;卢励吾.(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管,半导体学报,2005,26(4):745-750
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