SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 卢励吾
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:4Pages:745-750
Abstract采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
metadata_83北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,教育部高校博士点基金,国家自然科学基金,北京航空航天大学博士生基础性研究基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2004074
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17075
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
韦文生,王天民,张春熹,等. (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管[J]. 半导体学报,2005,26(4):745-750.
APA 韦文生,王天民,张春熹,李国华,&卢励吾.(2005).(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管.半导体学报,26(4),745-750.
MLA 韦文生,et al."(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管".半导体学报 26.4(2005):745-750.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4520.pdf(670KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[韦文生]'s Articles
[王天民]'s Articles
[张春熹]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[韦文生]'s Articles
[王天民]'s Articles
[张春熹]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[韦文生]'s Articles
[王天民]'s Articles
[张春熹]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.