SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
垂直腔面发射激光器的热学特性
侯识华; 赵鼎; 孙永伟; 徐云; 谭满清; 陈良惠
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:4Pages:805-811
Abstract通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电流密度小于或等于阈值电流密度时,晶片键合结构垂直腔面发射激光器的键合界面阻抗、氧化层限制孔径、外加电压以及分布布拉格反射镜的热导率的大小对VCSEL内部温度分布的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院电子学研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2004114
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17073
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
侯识华,赵鼎,孙永伟,等. 垂直腔面发射激光器的热学特性[J]. 半导体学报,2005,26(4):805-811.
APA 侯识华,赵鼎,孙永伟,徐云,谭满清,&陈良惠.(2005).垂直腔面发射激光器的热学特性.半导体学报,26(4),805-811.
MLA 侯识华,et al."垂直腔面发射激光器的热学特性".半导体学报 26.4(2005):805-811.
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