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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
作者: 张国强;  刘忠立;  李宁;  范楷;  郑中山;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
发表日期: 2005
摘要: 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张国强;刘忠立;李宁;范楷;郑中山;张恩霞;易万兵;陈猛;王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响,半导体学报,2005,26(4):835-839
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