Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究 | |
尹雪松; 姜凡; 刘忠立 | |
2005 | |
Source Publication | 半导体技术
![]() |
Volume | 30Issue:4Pages:54-57 |
Abstract | 介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所,微电子研究发展中心 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2008805 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17067 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 尹雪松,姜凡,刘忠立. 部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究[J]. 半导体技术,2005,30(4):54-57. |
APA | 尹雪松,姜凡,&刘忠立.(2005).部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究.半导体技术,30(4),54-57. |
MLA | 尹雪松,et al."部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究".半导体技术 30.4(2005):54-57. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4513.pdf(583KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment