SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究
尹雪松; 姜凡; 刘忠立
2005
Source Publication半导体技术
Volume30Issue:4Pages:54-57
Abstract介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法.
metadata_83中国科学院半导体研究所,微电子研究发展中心
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2008805
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17067
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
尹雪松,姜凡,刘忠立. 部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究[J]. 半导体技术,2005,30(4):54-57.
APA 尹雪松,姜凡,&刘忠立.(2005).部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究.半导体技术,30(4),54-57.
MLA 尹雪松,et al."部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究".半导体技术 30.4(2005):54-57.
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