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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究
作者: 尹雪松;  姜凡;  刘忠立
发表日期: 2005
摘要: 介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法.
刊名: 半导体技术
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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尹雪松;姜凡;刘忠立.部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究,半导体技术,2005,30(4):54-57
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