部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究
	尹雪松; 姜凡; 刘忠立
	2005
Source Publication	半导体技术
Volume	30 Issue:4 Pages:54-57
Abstract	介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法.
metadata_83	中国科学院半导体研究所,微电子研究发展中心
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2008805
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17067
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	尹雪松,姜凡,刘忠立. 部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究[J]. 半导体技术,2005,30(4):54-57.
APA	尹雪松,姜凡,&刘忠立.(2005).部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究.半导体技术,30(4),54-57.
MLA	尹雪松,et al."部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究".半导体技术 30.4(2005):54-57.

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