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| 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件 | |
| 陈晓娟; 刘新宇; 和致经; 刘键; 邵刚; 魏珂; 吴德馨; 王晓亮; 周钧铭; 陈宏 | |
| 2005 | |
| Source Publication | 电子器件
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| Volume | 28Issue:3Pages:479-481 |
| Abstract | 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V. |
| metadata_83 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院半导体所;中国科学院物理研究所 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2021299 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17059 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈晓娟,刘新宇,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):479-481. |
| APA | 陈晓娟.,刘新宇.,和致经.,刘键.,邵刚.,...&陈宏.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),479-481. |
| MLA | 陈晓娟,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):479-481. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4509.pdf（417KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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