采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

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题名:	采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件
作者:	陈晓娟; 刘新宇; 和致经; 刘键; 邵刚; 魏珂; 吴德馨; 王晓亮; 周钧铭; 陈宏
发表日期:	2005
摘要:	为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V.
刊名:	电子器件
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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陈晓娟;刘新宇;和致经;刘键;邵刚;魏珂;吴德馨;王晓亮;周钧铭;陈宏.采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件,电子器件,2005,28(3):479-481

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