SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅薄膜光学性质的测定与研究
钟立志; 张维佳; 崔敏; 吴小文; 李国华; 丁琨
2005
Source Publication半导体光电
Volume26Issue:4Pages:327-329
Abstract通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.
metadata_83北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2025211
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17051
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
钟立志,张维佳,崔敏,等. 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究[J]. 半导体光电,2005,26(4):327-329.
APA 钟立志,张维佳,崔敏,吴小文,李国华,&丁琨.(2005).纳米硅薄膜光学性质的测定与研究.半导体光电,26(4),327-329.
MLA 钟立志,et al."纳米硅薄膜光学性质的测定与研究".半导体光电 26.4(2005):327-329.
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