SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响
侯识华; 赵鼎; 叶晓军; 孙永伟; 谭满清; 陈良惠
2005
Source Publication光子学报
Volume34Issue:4Pages:503-506
Abstract采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗.通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度、结压降和温度沿径向分布的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院电子学研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2026193
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17047
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
侯识华,赵鼎,叶晓军,等. 键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响[J]. 光子学报,2005,34(4):503-506.
APA 侯识华,赵鼎,叶晓军,孙永伟,谭满清,&陈良惠.(2005).键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响.光子学报,34(4),503-506.
MLA 侯识华,et al."键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响".光子学报 34.4(2005):503-506.
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