SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算
董庆瑞; 牛智川
2005
Source Publication物理学报
Volume54Issue:4Pages:1794-1798
Abstract在有效质量近似条件下研究了垂直耦合的自组织InAs/GaAs量子点的激子态.在绝热近似条件下,采用传递矩阵方法计算了电子和空穴的能谱.通过哈密顿量矩阵的对角化,对电子和空穴间的库仑相互作用进行了精确处理.讨论了两量子点间的垂直距离对激子基态能的影响.从基态波函数概率分布的角度,讨论了激子的束缚能.计算了重空穴和轻空穴激子的基态能随外部垂直磁场变化的函数关系.计算了量子点大小(量子点半径)对激子能的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2026228
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17043
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
董庆瑞,牛智川. 垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算[J]. 物理学报,2005,54(4):1794-1798.
APA 董庆瑞,&牛智川.(2005).垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算.物理学报,54(4),1794-1798.
MLA 董庆瑞,et al."垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算".物理学报 54.4(2005):1794-1798.
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