SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
谷锦华; 周玉琴; 朱美芳; 李国华; 丁琨; 周炳卿; 刘丰珍; 刘金龙; 张群芳
2005
Source Publication物理学报
Volume54Issue:4Pages:1890-1894
Abstract采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到:在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长;而在单晶硅衬底上,薄膜早期以有限扩散生长模式生长,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的依赖关系表明,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测量证实,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力,从而造成薄膜早期生长模式的差异.
metadata_83中国科学院研究生院物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,中国科学院研究生院院长基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2026281
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17041
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
谷锦华,周玉琴,朱美芳,等. 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究[J]. 物理学报,2005,54(4):1890-1894.
APA 谷锦华.,周玉琴.,朱美芳.,李国华.,丁琨.,...&张群芳.(2005).低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究.物理学报,54(4),1890-1894.
MLA 谷锦华,et al."低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究".物理学报 54.4(2005):1890-1894.
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