SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
隔离电阻对集成光源特性的影响分析
冯巍; 王幼林; 祝宁华
2005
Source Publication光电子·激光
Volume16Issue:5Pages:519-522
Abstract提出了一种分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源(EML)的等效电路模型.该模型考虑了由于隔离电阻不够大而导致的激光器与调制器之间的电耦合,通过对电路模型进行仿真可以看出,对于不同隔离电阻的EML,激光器的阈值电流、调制器的频率响应带宽、集成器件的小信号调制和脉冲调制等多方面特性均有明显不同.分析得到,EML的隔离电阻阻值只有达到10 kΩ量级,才能够忽略电泄漏对器件特性的影响.并指出EML在更高的偏置下,将对隔离电阻提出更高的要求.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家"863"计划重大资助项目,国家"973"课题资助项目,国家杰出青年基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2028610
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17037
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
冯巍,王幼林,祝宁华. 隔离电阻对集成光源特性的影响分析[J]. 光电子·激光,2005,16(5):519-522.
APA 冯巍,王幼林,&祝宁华.(2005).隔离电阻对集成光源特性的影响分析.光电子·激光,16(5),519-522.
MLA 冯巍,et al."隔离电阻对集成光源特性的影响分析".光电子·激光 16.5(2005):519-522.
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