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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
作者: 高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷;  张永兴;  曾一平
发表日期: 2005
摘要: 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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高欣;孙国胜;李晋闽;赵万顺;王雷;张永兴;曾一平.水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜,半导体学报,2005,26(5):936-940
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