径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟
	左然; 张红; 刘祥林
	2005
Source Publication	半导体学报
Volume	26 Issue:5 Pages:977-982
Abstract	对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.
metadata_83	江苏大学能源与动力工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2034115
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:8[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17019
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	左然,张红,刘祥林. 径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟[J]. 半导体学报,2005,26(5):977-982.
APA	左然,张红,&刘祥林.(2005).径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟.半导体学报,26(5),977-982.
MLA	左然,et al."径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟".半导体学报 26.5(2005):977-982.

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