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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟
作者: 左然;  张红;  刘祥林
发表日期: 2005
摘要: 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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左然;张红;刘祥林.径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟,半导体学报,2005,26(5):977-982
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