利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构
	周炳卿; 刘丰珍; 朱美芳; 谷锦华; 周玉琴; 刘金龙; 董宝中; 李国华; 丁琨
	2005
Source Publication	物理学报
Volume	54 Issue:5 Pages:2172-2175
Abstract	采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.
metadata_83	中国科学院研究生院物理系;中国科学院高能物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家基础发展规划(973)项目基金,中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室资助的课题
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2039169
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:3[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17013
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周炳卿,刘丰珍,朱美芳,等. 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构[J]. 物理学报,2005,54(5):2172-2175.
APA	周炳卿.,刘丰珍.,朱美芳.,谷锦华.,周玉琴.,...&丁琨.(2005).利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构.物理学报,54(5),2172-2175.
MLA	周炳卿,et al."利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构".物理学报 54.5(2005):2172-2175.

Files in This Item:
File Name/Size	DocType	Version	Access	License
4485.pdf（326KB）			限制开放	--	Application Full Text

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库