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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构
作者: 周炳卿;  刘丰珍;  朱美芳;  谷锦华;  周玉琴;  刘金龙;  董宝中;  李国华;  丁琨
发表日期: 2005
摘要: 采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周炳卿;刘丰珍;朱美芳;谷锦华;周玉琴;刘金龙;董宝中;李国华;丁琨.利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构,物理学报,2005,54(5):2172-2175
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