非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

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题名:	非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟
作者:	胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 许玲; 曾湘波; 郝会颖; 孙光临
发表日期:	2005
摘要:	运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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胡志华;廖显伯;刁宏伟;夏朝凤;许玲;曾湘波;郝会颖;孙光临.非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟,物理学报,2005,54(5):2302-2306

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