非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟
	胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 许玲; 曾湘波; 郝会颖; 孙光临
	2005
Source Publication	物理学报
Volume	54 Issue:5 Pages:2302-2306
Abstract	运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.
metadata_83	中国科学院半导体研究所;云南师范大学能源与环境科学学院
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家重大基础研究计划(973)项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2039290
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17007
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. 非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟[J]. 物理学报,2005,54(5):2302-2306.
APA	胡志华.,廖显伯.,刁宏伟.,夏朝凤.,许玲.,...&孙光临.(2005).非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟.物理学报,54(5),2302-2306.
MLA	胡志华,et al."非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟".物理学报 54.5(2005):2302-2306.

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