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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟
作者: 胡志华;  廖显伯;  刁宏伟;  夏朝凤;  许玲;  曾湘波;  郝会颖;  孙光临
发表日期: 2005
摘要: 运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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胡志华;廖显伯;刁宏伟;夏朝凤;许玲;曾湘波;郝会颖;孙光临.非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟,物理学报,2005,54(5):2302-2306
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