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GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性 | |
罗向东; 孙炳华; 徐仲英 | |
2005 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 54Issue:5Pages:2385-2388 |
Abstract | 应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征. |
metadata_83 | 南通大学理学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目,江苏省自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2039368 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17005 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 罗向东,孙炳华,徐仲英. GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性[J]. 物理学报,2005,54(5):2385-2388. |
APA | 罗向东,孙炳华,&徐仲英.(2005).GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性.物理学报,54(5),2385-2388. |
MLA | 罗向东,et al."GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性".物理学报 54.5(2005):2385-2388. |
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