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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性
作者: 罗向东;  孙炳华;  徐仲英
发表日期: 2005
摘要: 应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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罗向东;孙炳华;徐仲英.GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性,物理学报,2005,54(5):2385-2388
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