GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

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题名:	GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性
作者:	罗向东; 孙炳华; 徐仲英
发表日期:	2005
摘要:	应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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罗向东;孙炳华;徐仲英.GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性,物理学报,2005,54(5):2385-2388

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