GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性
	罗向东; 孙炳华; 徐仲英
	2005
Source Publication	物理学报
Volume	54 Issue:5 Pages:2385-2388
Abstract	应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.
metadata_83	南通大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目,江苏省自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2039368
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17005
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	罗向东,孙炳华,徐仲英. GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性[J]. 物理学报,2005,54(5):2385-2388.
APA	罗向东,孙炳华,&徐仲英.(2005).GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性.物理学报,54(5),2385-2388.
MLA	罗向东,et al."GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性".物理学报 54.5(2005):2385-2388.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库