SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性
罗向东; 孙炳华; 徐仲英
2005
Source Publication物理学报
Volume54Issue:5Pages:2385-2388
Abstract应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.
metadata_83南通大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目,江苏省自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2039368
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17005
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗向东,孙炳华,徐仲英. GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性[J]. 物理学报,2005,54(5):2385-2388.
APA 罗向东,孙炳华,&徐仲英.(2005).GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性.物理学报,54(5),2385-2388.
MLA 罗向东,et al."GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性".物理学报 54.5(2005):2385-2388.
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