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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器
作者: 贺月娇;  方青;  辛红丽;  陈鹏;  李芳;  刘育梁
发表日期: 2005
摘要: 采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510~1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0~29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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贺月娇;方青;辛红丽;陈鹏;李芳;刘育梁.低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器,光电子·激光,2005,16(6):642-645
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