SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
刘忠立; 李宁; 高见头; 于芳
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:7Pages:1406-1411
Abstract利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2091181
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16983
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘忠立,李宁,高见头,等. 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性[J]. 半导体学报,2005,26(7):1406-1411.
APA 刘忠立,李宁,高见头,&于芳.(2005).改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性.半导体学报,26(7),1406-1411.
MLA 刘忠立,et al."改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性".半导体学报 26.7(2005):1406-1411.
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