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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
作者: 刘忠立;  李宁;  高见头;  于芳
发表日期: 2005
摘要: 利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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刘忠立;李宁;高见头;于芳.改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性,半导体学报,2005,26(7):1406-1411
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