高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: SiO2/Si波导应力双折射数值分析
作者: 安俊明;  班士良;  梁希侠;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李健光;  王红杰;  胡雄伟
发表日期: 2005
摘要: 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4469.pdf789KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
安俊明;班士良;梁希侠;李健;郜定山;夏君磊;李健光;王红杰;胡雄伟.SiO2/Si波导应力双折射数值分析,半导体学报,2005,26(7):1454-1458
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [安俊明]的文章
 [班士良]的文章
 [梁希侠]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [安俊明]的文章
 [班士良]的文章
 [梁希侠]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发