SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SiO2/Si波导应力双折射数值分析
安俊明; 班士良; 梁希侠; 李健; 郜定山; 夏君磊; 李健光; 王红杰; 胡雄伟
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:7Pages:1454-1458
Abstract采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.
metadata_83内蒙古大学物理系;中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2091223
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16981
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
安俊明,班士良,梁希侠,等. SiO2/Si波导应力双折射数值分析[J]. 半导体学报,2005,26(7):1454-1458.
APA 安俊明.,班士良.,梁希侠.,李健.,郜定山.,...&胡雄伟.(2005).SiO2/Si波导应力双折射数值分析.半导体学报,26(7),1454-1458.
MLA 安俊明,et al."SiO2/Si波导应力双折射数值分析".半导体学报 26.7(2005):1454-1458.
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