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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分
作者: 佟存柱;  韩勤;  彭红玲;  牛智川;  吴荣汉
发表日期: 2005
摘要: 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
佟存柱;韩勤;彭红玲;牛智川;吴荣汉.氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分,半导体学报,2005,26(7):1459-1463
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