SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备
黄辉; 王兴妍; 任晓敏; 王琦; 黄永清; 高俊华; 马晓宇
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:7Pages:1469-1474
Abstract利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0 28As06P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In072Ga0.28As06P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.
metadata_83北京邮电大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家自然科学基金重大项目,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2091232
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16977
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄辉,王兴妍,任晓敏,等. HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备[J]. 半导体学报,2005,26(7):1469-1474.
APA 黄辉.,王兴妍.,任晓敏.,王琦.,黄永清.,...&马晓宇.(2005).HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备.半导体学报,26(7),1469-1474.
MLA 黄辉,et al."HCl/HF/CrO3溶液对 InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀--应用于楔形结构的制备".半导体学报 26.7(2005):1469-1474.
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