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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content
作者: Wang Xiaoling;  Wang Ciumei;  Hu Guoxin;  Wang Junxi;  Liu Xinyu;  Liu Jian;  Ran Junxue;  Qian He;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
发表日期: 2005
摘要: A Si doped AlGaN/GaN HEMT structure with high Al content (x= 44%) in the barrier layer is grown on sapphire substrate by RF-MBE. The structural and electrical properties of the heterostructure are investigated by the triple axis X-ray diffraction and Van der Pauw-Hall measurement, respectively. The observed prominent Bragg peaks of the GaN and AlGaN and the Hall results show that the structure is of high quality with smooth interface.fabricated and characterized. Better DC characteristics, maximum drain current of 1.0A/mm and extrinsic transconductance of 218mS/mm are obtained when compared with HEMTs fabricated using structures with lower Al mole fraction in the AlGaN barrier layer. The results suggest that the high Al content in the AlGaN barrier layer is promising in improving material electrical properties and device performance.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang Xiaoling;Wang Ciumei;Hu Guoxin;Wang Junxi;Liu Xinyu;Liu Jian;Ran Junxue;Qian He;Zeng Yiping;Li Jinmin.RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content,半导体学报,2005,26(6):1116-1120
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