GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
	刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽
	2005
Source Publication	半导体学报
Volume	26 Issue:6 Pages:1149-1153
Abstract	在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征．分析结果表明
metadata_83	中国科学院半导体研究所材料中心
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2091728
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16965
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘超,高兴国,李建平,等. GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为[J]. 半导体学报,2005,26(6):1149-1153.
APA	刘超,高兴国,李建平,曾一平,&李晋闽.(2005).GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为.半导体学报,26(6),1149-1153.
MLA	刘超,et al."GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为".半导体学报 26.6(2005):1149-1153.

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