GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

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题名:	GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
作者:	刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽
发表日期:	2005
摘要:	在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征．分析结果表明
刊名:	半导体学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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刘超;高兴国;李建平;曾一平;李晋闽.GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为,半导体学报,2005,26(6):1149-1153

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