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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 | |
刘超![]() | |
2005 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 26Issue:6Pages:1149-1153 |
Abstract | 在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所材料中心 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2091728 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16965 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘超,高兴国,李建平,等. GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为[J]. 半导体学报,2005,26(6):1149-1153. |
APA | 刘超,高兴国,李建平,曾一平,&李晋闽.(2005).GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为.半导体学报,26(6),1149-1153. |
MLA | 刘超,et al."GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为".半导体学报 26.6(2005):1149-1153. |
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