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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
作者: 肖红领;  王晓亮;  张南红;  王军喜;  刘宏新;  韩勤;  曾一平;  李晋闽
发表日期: 2005
摘要: 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×10^18cm^3,相应的电子迁移率为262cm^2/(V·s).
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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肖红领;王晓亮;张南红;王军喜;刘宏新;韩勤;曾一平;李晋闽.蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长,半导体学报,2005,26(6):1169-1172
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