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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响
作者: 张恩霞;  钱聪;  张正选;  王曦;  张国强;  李宁;  郑中山;  刘忠立
发表日期: 2005
摘要: 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张恩霞;钱聪;张正选;王曦;张国强;李宁;郑中山;刘忠立.注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响,半导体学报,2005,26(6):1269-1272
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