SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析
杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 黄永箴
2005
Source Publication高技术通讯
Volume15Issue:6Pages:46-49
Abstract阐述了量子点内能级结构与应变的关系,用ANSYS7.1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下
metadata_83北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization863计划,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2102205
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16949
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
杨红波,俞重远,刘玉敏,等. 有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析[J]. 高技术通讯,2005,15(6):46-49.
APA 杨红波,俞重远,刘玉敏,&黄永箴.(2005).有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析.高技术通讯,15(6),46-49.
MLA 杨红波,et al."有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析".高技术通讯 15.6(2005):46-49.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4453.pdf(302KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[杨红波]'s Articles
[俞重远]'s Articles
[刘玉敏]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[杨红波]'s Articles
[俞重远]'s Articles
[刘玉敏]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[杨红波]'s Articles
[俞重远]'s Articles
[刘玉敏]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.