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| 分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究 | |
徐晓华; 牛智川 ; 倪海桥; 徐应强; 张纬; 贺正宏; 韩勤; 吴荣汉; 江德生
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| 2005 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 54Issue:6Pages:2950-2954 |
| Abstract | 报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光． |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,863计划资助,中国博士后科学基金支持的课题 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2104330 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16943 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 徐晓华,牛智川,倪海桥,等. 分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究[J]. 物理学报,2005,54(6):2950-2954. |
| APA | 徐晓华.,牛智川.,倪海桥.,徐应强.,张纬.,...&江德生.(2005).分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究.物理学报,54(6),2950-2954. |
| MLA | 徐晓华,et al."分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究".物理学报 54.6(2005):2950-2954. |
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