SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用
江德生
2005
Source Publication物理
Volume34Issue:7Pages:521-527
Abstract人们对半导体中的电子空穴对在库仑互作用下形成的激子态及其有关的物理性质进行了深入研究.激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响,并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用.与半导体体材料相比,在量子化的低维电子结构中,激子的束缚能要大得多,激子效应增强,而且在较高温度或在电场作用下更稳定.这对制作利用激子效应的光电子器件非常有利.近年来量子阱、量子点等低维结构研究获得飞速的进展,已大大促进了激子效应在新型半导体光源和半导体非线性光电子器件领域的应用.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2104844
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16941
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
江德生. 第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用[J]. 物理,2005,34(7):521-527.
APA 江德生.(2005).第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用.物理,34(7),521-527.
MLA 江德生."第三讲 半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用".物理 34.7(2005):521-527.
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