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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试
作者: 李健;  安俊明;  王红杰;  胡雄伟
发表日期: 2005
摘要: 叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于一17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB。
刊名: 光学技术
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李健;安俊明;王红杰;胡雄伟.16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试,光学技术,2005,31(3):349-350
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