SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试
李健; 安俊明; 王红杰; 胡雄伟
2005
Source Publication光学技术
Volume31Issue:3Pages:349-350
Abstract叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于一17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2111581
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16935
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李健,安俊明,王红杰,等. 16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试[J]. 光学技术,2005,31(3):349-350.
APA 李健,安俊明,王红杰,&胡雄伟.(2005).16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试.光学技术,31(3),349-350.
MLA 李健,et al."16×0.8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试".光学技术 31.3(2005):349-350.
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