SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟
郝会颖; 孔光临; 曾湘波; 许颖; 刁宏伟; 廖显伯
2005
Source Publication物理学报
Volume54Issue:7Pages:3370-3374
Abstract在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大而减小.电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高.根据这些模拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶/微晶叠层电池的底电池采用晶相比为40%-50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2112372
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16933
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
郝会颖,孔光临,曾湘波,等. 非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟[J]. 物理学报,2005,54(7):3370-3374.
APA 郝会颖,孔光临,曾湘波,许颖,刁宏伟,&廖显伯.(2005).非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟.物理学报,54(7),3370-3374.
MLA 郝会颖,et al."非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟".物理学报 54.7(2005):3370-3374.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4445.pdf(257KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[郝会颖]'s Articles
[孔光临]'s Articles
[曾湘波]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[郝会颖]'s Articles
[孔光临]'s Articles
[曾湘波]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[郝会颖]'s Articles
[孔光临]'s Articles
[曾湘波]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.