SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组装半导体量子点的电子学性质研究进展
孙捷; 金鹏; 王占国
2005
Source Publication金属学报
Volume41Issue:5Pages:463-470
Abstract自组装半导体量子点是人工设计,生长的一种具有量子尺寸效应,量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少,材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划项目,国家高技术研究发展计划项目,国家自然科学基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2131277
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16931
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙捷,金鹏,王占国. 自组装半导体量子点的电子学性质研究进展[J]. 金属学报,2005,41(5):463-470.
APA 孙捷,金鹏,&王占国.(2005).自组装半导体量子点的电子学性质研究进展.金属学报,41(5),463-470.
MLA 孙捷,et al."自组装半导体量子点的电子学性质研究进展".金属学报 41.5(2005):463-470.
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