Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 自组装半导体量子点的电子学性质研究进展 | |
孙捷; 金鹏 ; 王占国
| |
| 2005 | |
| Source Publication | 金属学报
 |
| Volume | 41Issue:5Pages:463-470 |
| Abstract | 自组装半导体量子点是人工设计，生长的一种具有量子尺寸效应，量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料．由于其具有晶体缺陷少，材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值．本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序，扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展，并对目前存在的问题和发展前景作了分析． |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划项目,国家高技术研究发展计划项目,国家自然科学基金项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2131277 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16931 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙捷,金鹏,王占国. 自组装半导体量子点的电子学性质研究进展[J]. 金属学报,2005,41(5):463-470. |
| APA | 孙捷,金鹏,&王占国.(2005).自组装半导体量子点的电子学性质研究进展.金属学报,41(5),463-470. |
| MLA | 孙捷,et al."自组装半导体量子点的电子学性质研究进展".金属学报 41.5(2005):463-470. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4438.pdf（522KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment