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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Wet Oxidation of AlxGa1-xAs/GaAs Distributed Bragg Reflectors
作者: Li Yuoyuan;  Wang Zhanguo;  Xu Bo;  Jin Peng;  Zhang Chunling;  Guo Xia;  Chen Min
发表日期: 2005
摘要: The wet oxidation of AlGaAs with high Al content in a distributed Bragg reflectors (DBR) is studied by scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). Some voids distribute along the oxide/GaAs interfaces due to the stress induced by the wet oxidation of the AlGaAs layers. These voids decrease the shrinkage of the Al2O3 layers to 8% instead of the theoretical 20% when compared to the unoxidized AlGaAs layers. With the extension of oxidation time, the reactants are more completely transported to the front interface and the products are more completely transported out along the porous interfaces. As a result,the oxide quality is better.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li Yuoyuan;Wang Zhanguo;Xu Bo;Jin Peng;Zhang Chunling;Guo Xia;Chen Min.Wet Oxidation of AlxGa1-xAs/GaAs Distributed Bragg Reflectors,半导体学报,2005,26(8):1519-1523
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