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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
作者: 黄辉;  王兴妍;  王琦;  陈斌;  黄永清;  任晓敏;  孙增辉;  钟源;  高俊华;  马骁宇;  陈弘达;  陈良惠
发表日期: 2005
摘要: 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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黄辉;王兴妍;王琦;陈斌;黄永清;任晓敏;孙增辉;钟源;高俊华;马骁宇;陈弘达;陈良惠.基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合,半导体学报,2005,26(8):1667-1670
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