SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
黄辉; 王兴妍; 王琦; 陈斌; 黄永清; 任晓敏; 孙增辉; 钟源; 高俊华; 马骁宇; 陈弘达; 陈良惠
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:8Pages:1667-1670
Abstract提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.
metadata_83北京邮电大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重大项目,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2132141
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16917
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄辉,王兴妍,王琦,等. 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合[J]. 半导体学报,2005,26(8):1667-1670.
APA 黄辉.,王兴妍.,王琦.,陈斌.,黄永清.,...&陈良惠.(2005).基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合.半导体学报,26(8),1667-1670.
MLA 黄辉,et al."基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合".半导体学报 26.8(2005):1667-1670.
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