高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications
作者: SUN Guosheng;  WANG Lei;  GONG Quancheng;  GAO Xin;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI JinminL
发表日期: 2005
摘要: This paper presents the development of LPCVD growth of 3C-SiC thin films grown on Si mesas and thermally oxidized SiO2 masks over Si with an area of 150 × 100μm^2 and SiO2/Si substrates. The growth has been performed via chemical vapor deposition using SiH4 and C2H4 precursor gases with carrier gas of H2. 3C-SiC films on these substrates were characterized by optical microscopy, X-ray diffraction ( XRD ), X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS ), scanning electron microscopy (SEM) and room temperature Hall effect measurements. It is shown that there were no voids at the interface between 3C-SiC and SiO2.
刊名: 人工晶体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4430.pdf712KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
SUN Guosheng;WANG Lei;GONG Quancheng;GAO Xin;LIU Xingfang;ZENG Yiping;LI JinminL.LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications,人工晶体学报,2005,34(6):982-985
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [SUN Guosheng]的文章
 [WANG Lei]的文章
 [GONG Quancheng]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [SUN Guosheng]的文章
 [WANG Lei]的文章
 [GONG Quancheng]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发