超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响
	牛智红; 任正伟; 贺振宏
	2005
Source Publication	山西大学学报. 自然科学版
Volume	28 Issue:4 Pages:380-382
Abstract	提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响
metadata_83	山西省综合职业技术学院轻工分院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2138482
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16903
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	牛智红,任正伟,贺振宏. 超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响[J]. 山西大学学报. 自然科学版,2005,28(4):380-382.
APA	牛智红,任正伟,&贺振宏.(2005).超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响.山西大学学报. 自然科学版,28(4),380-382.
MLA	牛智红,et al."超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响".山西大学学报. 自然科学版 28.4(2005):380-382.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库