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超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响 | |
牛智红; 任正伟; 贺振宏 | |
2005 | |
Source Publication | 山西大学学报. 自然科学版
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Volume | 28Issue:4Pages:380-382 |
Abstract | 提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法.采用分子束外延生长GaAs/InAs短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1.3μm~1.5μm.研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响 |
metadata_83 | 山西省综合职业技术学院轻工分院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2138482 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16903 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 牛智红,任正伟,贺振宏. 超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响[J]. 山西大学学报. 自然科学版,2005,28(4):380-382. |
APA | 牛智红,任正伟,&贺振宏.(2005).超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响.山西大学学报. 自然科学版,28(4),380-382. |
MLA | 牛智红,et al."超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响".山西大学学报. 自然科学版 28.4(2005):380-382. |
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