SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响
牛智红; 任正伟; 贺振宏
2005
Source Publication山西大学学报. 自然科学版
Volume28Issue:4Pages:380-382
Abstract提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法.采用分子束外延生长GaAs/InAs短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1.3μm~1.5μm.研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响
metadata_83山西省综合职业技术学院轻工分院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2138482
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16903
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
牛智红,任正伟,贺振宏. 超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响[J]. 山西大学学报. 自然科学版,2005,28(4):380-382.
APA 牛智红,任正伟,&贺振宏.(2005).超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响.山西大学学报. 自然科学版,28(4),380-382.
MLA 牛智红,et al."超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响".山西大学学报. 自然科学版 28.4(2005):380-382.
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