SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多层InAs量子点的光致发光研究
孔令民; 蔡加法; 陈厦平; 朱会丽; 吴正云; 牛智川
2005
Source Publication半导体光电
Volume26Issue:6Pages:519-522
Abstract采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6meV,并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。
metadata_83厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2162812
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16891
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孔令民,蔡加法,陈厦平,等. 多层InAs量子点的光致发光研究[J]. 半导体光电,2005,26(6):519-522.
APA 孔令民,蔡加法,陈厦平,朱会丽,吴正云,&牛智川.(2005).多层InAs量子点的光致发光研究.半导体光电,26(6),519-522.
MLA 孔令民,et al."多层InAs量子点的光致发光研究".半导体光电 26.6(2005):519-522.
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