SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成
高雪莲; 石寅
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:11Pages:2241-2247
Abstract提出一种基于仿真的模拟电路参数自动生成方法,通过利用模拟电路性能仿真数值结果生成描述电路性能与电路参数之间关系的正多项式响应曲面模型(polynomial response surface models),再利用若干性能曲面模型协同求出满足全部性能要求的模拟电路的参数配置.这种方法的本质是将电路参数化问题转化为几何规划(geometric program)问题,为线性或非线性电路生成达到Spice器件仿真级精度的性能正多项式响应曲面.文中提出的正多项式响应曲面模型的待求参数包括正实数系数和任意实数指数,其回归分析过程中如果模型无法满足精度要求,可通过自动修改模型的多项式结构最终获得理想结果.最后以运算放大器电路为例,生成精确描述电路性能的正多项式响应曲面模型,并通过若干正多项式响应曲面模型得到满足性能要求的参数配置.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2162911
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16875
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
高雪莲,石寅. 利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成[J]. 半导体学报,2005,26(11):2241-2247.
APA 高雪莲,&石寅.(2005).利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成.半导体学报,26(11),2241-2247.
MLA 高雪莲,et al."利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成".半导体学报 26.11(2005):2241-2247.
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