SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光探测器TO封装的高频分析与改进
张尚剑; 刘戬; 温继敏; 祝宁华
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:11Pages:2254-2258
Abstract推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO封装探测器为例,对两种方法的有效性进行了验证.分析结果表明,封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用,通过改变封装中的这些参数,改进了TO封装探测器的频响.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家杰出青年基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2162913
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16873
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张尚剑,刘戬,温继敏,等. 光探测器TO封装的高频分析与改进[J]. 半导体学报,2005,26(11):2254-2258.
APA 张尚剑,刘戬,温继敏,&祝宁华.(2005).光探测器TO封装的高频分析与改进.半导体学报,26(11),2254-2258.
MLA 张尚剑,et al."光探测器TO封装的高频分析与改进".半导体学报 26.11(2005):2254-2258.
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