Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器 | |
黄家乐; 毛陆虹; 陈弘达; 高鹏; 刘金彬; 雷晓荃 | |
2005 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 26Issue:10Pages:1995-2000 |
Abstract | 为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RF CMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性。 |
metadata_83 | 天津大学电子与信息工程学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2162934 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16869 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄家乐,毛陆虹,陈弘达,等. MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器[J]. 半导体学报,2005,26(10):1995-2000. |
APA | 黄家乐,毛陆虹,陈弘达,高鹏,刘金彬,&雷晓荃.(2005).MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器.半导体学报,26(10),1995-2000. |
MLA | 黄家乐,et al."MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器".半导体学报 26.10(2005):1995-2000. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4399.pdf(472KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment