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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
作者: 刘仕锋;  秦国刚;  尤力平;  张纪才;  傅竹西;  戴伦
发表日期: 2005
摘要: 在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在野衬底和3C—SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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刘仕锋;秦国刚;尤力平;张纪才;傅竹西;戴伦.在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥,物理学报,2005,54(9):4329-4333
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