在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
	刘仕锋; 秦国刚; 尤力平; 张纪才; 傅竹西; 戴伦
	2005
Source Publication	物理学报
Volume	54 Issue:9 Pages:4329-4333
Abstract	在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统．该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长．利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在野衬底和3C—SiC／Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥．所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征．这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值．
metadata_83	北京大学物理学院;中国科学院半导体研究所;中国科学技术大学物理系
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家纳米科学中心资助的课题,国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室资助
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2170567
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16853
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘仕锋,秦国刚,尤力平,等. 在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥[J]. 物理学报,2005,54(9):4329-4333.
APA	刘仕锋,秦国刚,尤力平,张纪才,傅竹西,&戴伦.(2005).在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥.物理学报,54(9),4329-4333.
MLA	刘仕锋,et al."在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥".物理学报 54.9(2005):4329-4333.

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