在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

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题名:	在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
作者:	刘仕锋; 秦国刚; 尤力平; 张纪才; 傅竹西; 戴伦
发表日期:	2005
摘要:	在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统．该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长．利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在野衬底和3C—SiC／Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥．所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征．这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值．
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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刘仕锋;秦国刚;尤力平;张纪才;傅竹西;戴伦.在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥,物理学报,2005,54(9):4329-4333

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