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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态
作者: 成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  李传波;  毛容伟;  左玉华;  罗丽萍;  王启明
发表日期: 2005
摘要: 从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类蛳结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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成步文;姚飞;薛春来;张建国;李传波;毛容伟;左玉华;罗丽萍;王启明.带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态,物理学报,2005,54(9):4350-4353
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