带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态
	成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 李传波; 毛容伟; 左玉华; 罗丽萍; 王启明
	2005
Source Publication	物理学报
Volume	54 Issue:9 Pages:4350-4353
Abstract	从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于0．85的Si1-xGex合金材料（能带结构为类蛳结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系．基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe／Si应变状态的方法．用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe／Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的．
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助的课题
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2170571
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16851
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	成步文,姚飞,薛春来,等. 带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态[J]. 物理学报,2005,54(9):4350-4353.
APA	成步文.,姚飞.,薛春来.,张建国.,李传波.,...&王启明.(2005).带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态.物理学报,54(9),4350-4353.
MLA	成步文,et al."带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态".物理学报 54.9(2005):4350-4353.

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