带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态

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题名:	带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态
作者:	成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 李传波; 毛容伟; 左玉华; 罗丽萍; 王启明
发表日期:	2005
摘要:	从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于0．85的Si1-xGex合金材料（能带结构为类蛳结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系．基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe／Si应变状态的方法．用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe／Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的．
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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成步文;姚飞;薛春来;张建国;李传波;毛容伟;左玉华;罗丽萍;王启明.带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态,物理学报,2005,54(9):4350-4353

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