SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态
成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 李传波; 毛容伟; 左玉华; 罗丽萍; 王启明
2005
Source Publication物理学报
Volume54Issue:9Pages:4350-4353
Abstract从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类蛳结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2170571
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16851
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
成步文,姚飞,薛春来,等. 带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态[J]. 物理学报,2005,54(9):4350-4353.
APA 成步文.,姚飞.,薛春来.,张建国.,李传波.,...&王启明.(2005).带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态.物理学报,54(9),4350-4353.
MLA 成步文,et al."带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态".物理学报 54.9(2005):4350-4353.
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