SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究
杨少延; 柴春林; 周剑平; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
2005
Source Publication中国稀土学报
Volume23Issue:5Pages:576-581
Abstract介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy, IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法. 以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子, 通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、沉积剂量与配比及生长温度, 在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延. 文中除了对新方法的技术特点、实施方式和应注意的关键技术进行了阐述, 还结合CeO2, Gd2O3, GdxSi1-x等薄膜的制备研究, 讨论了离子的束流密度、剂量配比、能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究973计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2173156
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16849
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨少延,柴春林,周剑平,等. 稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究[J]. 中国稀土学报,2005,23(5):576-581.
APA 杨少延.,柴春林.,周剑平.,刘志凯.,陈涌海.,...&王占国.(2005).稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究.中国稀土学报,23(5),576-581.
MLA 杨少延,et al."稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究".中国稀土学报 23.5(2005):576-581.
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