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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究
作者: 杨少延;  柴春林;  周剑平;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
发表日期: 2005
摘要: 介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy, IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法. 以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子, 通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、沉积剂量与配比及生长温度, 在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延. 文中除了对新方法的技术特点、实施方式和应注意的关键技术进行了阐述, 还结合CeO2, Gd2O3, GdxSi1-x等薄膜的制备研究, 讨论了离子的束流密度、剂量配比、能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响.
刊名: 中国稀土学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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杨少延;柴春林;周剑平;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国.稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究,中国稀土学报,2005,23(5):576-581
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