SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究
彭成晓; 翁惠民; 杨晓杰; 叶邦角; 周先意; 韩荣典
2005
Source Publication核技术
Volume28Issue:11Pages:841-844
Abstract利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(Vo,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明
metadata_83中国科学技术大学近代物理系核固体实验室;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2176955
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16845
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭成晓,翁惠民,杨晓杰,等. 慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究[J]. 核技术,2005,28(11):841-844.
APA 彭成晓,翁惠民,杨晓杰,叶邦角,周先意,&韩荣典.(2005).慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究.核技术,28(11),841-844.
MLA 彭成晓,et al."慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究".核技术 28.11(2005):841-844.
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