SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究
李永平; 田强; 牛智川
2005
Source Publication量子电子学报
Volume22Issue:6Pages:923-926
Abstract利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳。
metadata_83曲阜师范大学物理系;北京师范大学物理系;中国科学院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization教育部高等学校骨干教师资助计划项目,曲阜师范大学校级项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2180097
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16843
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李永平,田强,牛智川. GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究[J]. 量子电子学报,2005,22(6):923-926.
APA 李永平,田强,&牛智川.(2005).GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究.量子电子学报,22(6),923-926.
MLA 李永平,et al."GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究".量子电子学报 22.6(2005):923-926.
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