GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究
	李永平; 田强; 牛智川
	2005
Source Publication	量子电子学报
Volume	22 Issue:6 Pages:923-926
Abstract	利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着温度的降低，深能级缺陷明显增加，并进行了分析，得到深能级是由Ga空位引起的，在600℃时生长的晶体质量最佳。
metadata_83	曲阜师范大学物理系;北京师范大学物理系;中国科学院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	教育部高等学校骨干教师资助计划项目,曲阜师范大学校级项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2180097
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16843
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李永平,田强,牛智川. GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究[J]. 量子电子学报,2005,22(6):923-926.
APA	李永平,田强,&牛智川.(2005).GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究.量子电子学报,22(6),923-926.
MLA	李永平,et al."GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究".量子电子学报 22.6(2005):923-926.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库