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GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究 | |
李永平; 田强; 牛智川![]() | |
2005 | |
Source Publication | 量子电子学报
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Volume | 22Issue:6Pages:923-926 |
Abstract | 利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳。 |
metadata_83 | 曲阜师范大学物理系;北京师范大学物理系;中国科学院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 教育部高等学校骨干教师资助计划项目,曲阜师范大学校级项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2180097 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16843 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李永平,田强,牛智川. GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究[J]. 量子电子学报,2005,22(6):923-926. |
APA | 李永平,田强,&牛智川.(2005).GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究.量子电子学报,22(6),923-926. |
MLA | 李永平,et al."GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究".量子电子学报 22.6(2005):923-926. |
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