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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究
作者: 李永平;  田强;  牛智川
发表日期: 2005
摘要: 利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs/Si/AlAs异质结随着温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体质量最佳。
刊名: 量子电子学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李永平;田强;牛智川.GaAs/Si/AlAs异质结的DLTS实验研究,量子电子学报,2005,22(6):923-926
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