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| GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究 | |
李永平; 田强; 牛智川
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| 2005 | |
| Source Publication | 量子电子学报
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| Volume | 22Issue:6Pages:923-926 |
| Abstract | 利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着温度的降低，深能级缺陷明显增加，并进行了分析，得到深能级是由Ga空位引起的，在600℃时生长的晶体质量最佳。 |
| metadata_83 | 曲阜师范大学物理系;北京师范大学物理系;中国科学院半导体所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 教育部高等学校骨干教师资助计划项目,曲阜师范大学校级项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2180097 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16843 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李永平,田强,牛智川. GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究[J]. 量子电子学报,2005,22(6):923-926. |
| APA | 李永平,田强,&牛智川.(2005).GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究.量子电子学报,22(6),923-926. |
| MLA | 李永平,et al."GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究".量子电子学报 22.6(2005):923-926. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4386.pdf（253KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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